ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,从而为快速切换提供坚固可靠的性能。
特点和优点:•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术
•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
特色
- -0.12 A,-60 V.RDS(开)=10Ω @ VGS=-10 V RDS(开)=20Ω @ VGS=-4.5伏
- 压控p通道小信号开关
- 低RDS(ON)的高密度电池设计
- 高饱和电流
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。