特色
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
- 电压控制小信号开关。
- 坚固可靠。
- 高饱和电流能力。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
2N7002L
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安（Ta） 最大功耗: 200mW（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.10044 | 2.10044 |
| 10+ | 1.69483 | 16.94839 |
| 100+ | 0.89884 | 89.88440 |
| 500+ | 0.59160 | 295.80000 |
| 1000+ | 0.40227 | 402.27100 |
| 3000+ | 0.36279 | 1088.39100 |
| 6000+ | 0.31550 | 1893.00600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.10044
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.10
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 最大功耗 200mW（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 7.5欧姆 @ 500毫安, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 115毫安（Ta）
- 色彩/颜色 -
2N7002L 产品详情
该N沟道增强型MOSFET使用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计旨在最大限度地减少导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这可用于要求高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。该产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
2N7002L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N7000RLRP | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN 60V 200MA TO-92 | ¥0.28972 |
 | 2N7002CK,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 | ¥0.14486 |
 | 2N7002BKV,115 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | ¥0.36215 |
 | 2N7002E,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 | ¥0.28972 |
 | 2N7002KQBZ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | 2N7002K 72K | 江苏长电/长晶 (CJ) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA | ¥0.18708 |
| 2N7002（丝印12W） | 时科 (SHIKUES) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA | ¥0.09601 |
| 2N7002-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A | ¥0.1106 |
 | 2N7002KD | 富芯森美 (FUXINSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA | ¥0.21651 |
 | 2N7002T-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.16258 |
2N7002L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7002L 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7002L价格参考￥2.100441，你可以下载 2N7002L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7002L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
