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2N7002KT-TP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Ta) 最大功耗: 350mW 供应商设备包装: SOT-523 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微型商业组件 (Micro)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.10044 2.10044
10+ 1.70932 17.09324
100+ 0.90826 90.82600
500+ 0.59753 298.76950
1000+ 0.40632 406.32700
3000+ 0.36649 1099.47300
6000+ 0.31868 1912.12800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.10044
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.10
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 制造厂商 微型商业组件 (Micro)
  • 供应商设备包装 SOT-523
  • 包装/外壳 SOT-523
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 40 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 500毫安, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 115毫安(Ta)
  • 最大功耗 350mW

2N7002KT-TP 产品详情

2N7002KT-TP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2N7002KT-TP 由 微型商业组件 (Micro) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2N7002KT-TP价格参考¥2.100441,你可以下载 2N7002KT-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2N7002KT-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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