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BSZ900N15NS3 G是MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N1 5NS3GXT SP000677866的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS以及8 PowerTDFN封装盒，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商设备包为PG-TSDSON-8（3.3x3.3），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为38W，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为510pF@75V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为13A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为90mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为4V@20μA，栅极电荷Qg-Vgs为7nC@10V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-电源击穿电压为150V，漏极-源极电阻Rds为90m欧姆，晶体管极性为N沟道。
BSZ900N20NS3 G是MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作62.5W Pd功耗。此外，零件别名为BSZ900N20NS3GGATMA1 BSZ900N2 0NS3GGXT SP000781806，该设备采用卷筒包装，该设备具有TDSON-8封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为15.2 a，并且正向跨导Min为16S 8S。
BSZ520N15NS3GATMA1是MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于1信道数量的信道，封装情况如数据表注释所示，用于TSDSON8，提供卷盘、零件别名等封装功能，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为OptiMOS，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道。
BSZ900N15NS3GATMA1，带EDA/CAD型号，包括TSDSON-8封装盒，它们设计为使用Si技术操作。数据表注释中显示了用于卷筒的封装，该卷筒提供了OptiMOS等商品名功能，晶体管极性设计为在N信道中工作，以及BSZ900N1 5NS3GXT G SP000677866部件别名，该设备也可以用作BSZ900N15系列。此外，晶体管类型为1 N通道，该器件提供1通道通道数。
