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IPB042N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于卷盘封装,数据表注释中显示了用于IPB042N1 0N3GTMA1 IPB042N 0N3GTXT SP000446880的部件别名,其提供单位重量功能,例如0.13932盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为214 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为14 ns,上升时间为59 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为100A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds导通漏极-漏极电阻为4.2mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为48ns,典型接通延迟时间为27ns,沟道模式为增强。
IPB042N03LG是INFINEON制造的Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3引脚(2+Tab)D2PAK T/R。IPB042N03LG采用TO263封装,是IC芯片的一部分,支持Trans-MOSFET N-CH 30V 70A 3引脚(2+Tab)D2PAK T/R。
IPB042N10N3G,带有INF制造的电路图。IPB042N1 0N3G在SOT263封装中提供,是FET的一部分-单个。