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RRH040P03TB1

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.31532 7.31532
10+ 6.41720 64.17209
100+ 4.92227 492.22750
500+ 3.89117 1945.58800
1000+ 3.11292 3112.92600
2500+ 2.82111 7052.77500
5000+ 2.65307 13265.37000
  • 库存: 2290
  • 单价: ¥7.31533
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.32
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOP
  • 最大功耗 650mW (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 480 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 75毫欧姆 @ 4A, 10V
  • 色彩/颜色 黑色

RRH040P03TB1 产品详情

功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件,适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型,以满足市场上的各种需求。

特色

  • 4.V-驱动器类型
  • Pch中功率MOSFET
  • 快速切换速度
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


RRH040P03TB1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RRH040P03TB1 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RRH040P03TB1价格参考¥7.315329,你可以下载 RRH040P03TB1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RRH040P03TB1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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