特色
- 4.Ｖ-驱动器类型
- Pch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RRH100P03GZETB
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.38535 | 12.38535 |
| 10+ | 11.04542 | 110.45423 |
| 100+ | 8.61253 | 861.25320 |
| 500+ | 7.11470 | 3557.35050 |
| 1000+ | 5.61686 | 5616.86900 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.38536
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.39
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 部件状态 不适用于新设计
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10A（Ta）
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 68 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 8-SOP
- 最大功耗 650mW (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3600 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 12.6毫欧姆@10A，10V
- 材质 -
RRH100P03GZETB 产品详情
P沟道MOSFET晶体管
RRH100P03GZETB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RRHDDOL | 哈蒙德 (Hammond) | 附件种类: 台车 配套使用/相关货物: 机柜机架 包装: 箱 | ¥2,322.87046 |
 | RRH140P03TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta） 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥18.4694 |
 | RRH090P03TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥10.50221 |
 | RRH090P03GZETB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥10.57463 |
 | RRH040P03TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | RRH140P03GZETB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta） 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥16.87596 |
| RRH100P03GZETB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.38536 |
 | RRH100P03TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.24241 |
 | RRHDCASTER | HEAVY DUTY SET OF CASTERS - 3" T | ¥0.00 | |
| RRHS4D02WGJ0150TCS | 厚声 (UNI-ROYAL) | 暂无 | ¥0.03501 |
RRH100P03GZETB所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RRH100P03GZETB 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RRH100P03GZETB价格参考￥12.385359，你可以下载 RRH100P03GZETB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RRH100P03GZETB规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
