起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 15.57223 | 15.57223 |
| 10+ | 14.00776 | 140.07769 |
| 100+ | 11.25619 | 1125.61910 |
| 500+ | 9.24816 | 4624.08450 |
| 1000+ | 8.40741 | 8407.41300 |
| 4000+ | 8.40741 | 33629.65200 |
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ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻，从而为快速切换提供坚固可靠的性能。
特点和优点：•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术
•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NDTL01N60ZT1G | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Tc） 最大功耗: 2W（Tc） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.23129 | |
 | NDT2955 | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.63787 |
 | NDT3055L | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.05748 |
 | NDT452AP | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.25691 |
 | NDT16PFJ-8KIT TR | Insignis (Insignis) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13） | ¥35.85236 |
 | NDTD2415C | 村田电子制作所 (Elcom) | 电压输出2: -15伏 功率（瓦特）: 3 W 效率值: 82% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥129.06848 |
 | NDTS0512C | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 3 W 效率值: 76% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥122.98444 |
 | NDTS2412C | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 3 W 效率值: 80% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥122.98444 |
 | NDT3055L-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：76mΩ@10V,4.5A | ¥2.4487 | |
| NDT16NC | NANO COOL, 16 OZ LIQUID BOTTLE, | ¥0.00 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
