9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB108N15N3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB108N15N3GATMA1参考价格为5.16000美元。Infineon Technologies IPB108N15N3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK。您可以下载IPB108N15N3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB108N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB108N15 N3GATMA1 IPB108N15-N3GXT SP000677862的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为214 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为83A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为41nC，正向跨导最小值为94S，并且信道模式是增强。
IPB107N20NAXT是MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于200 V，提供单位重量功能，如0.068654盎司，典型开启延迟时间设计为18 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IPB107N20，上升时间为26 ns，漏极-源极电阻Rds为9.6 mOhms，Qg栅极电荷为65 nC，Pd功耗为300 W，部件别名为IPB107 N20NAATMA1 SP000877674，封装外壳为TO-263-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为88 A，下降时间为11 ns，配置为单一。
IPB107N20NAATMA1是英飞凌制造的MOSFET MOSFET。IPB107N2 0NAATMA 1以PG-TO263-3封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET MOSFET、N沟道200V 88A（Tc）300W（Tc）表面安装PG-TO263-3、Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3引脚（2+Tab）D2PAK T/R、MOSFET MOSFET、DCtoDC N沟道200 V”。
IPB108N15N3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPB108N15N3G采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
