特色
- 小面积表面贴装封装
- 节省空间
- 低RDS（打开）
- 提高系统效率
- 符合RoHS
- ESD保护
- AEC−Q101合格和PPAP能力的2V前缀
应用
- 低压侧负载开关
- 电平移位电路
- DC-DC转换器
- 便携式应用，如DSC、PDA、手机等。
- 笔记本、桌面、DTV、便携式
（图片：引出线）
2V7002WT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 310毫安 (Ta) 最大功耗: 280毫瓦（Tj） 供应商设备包装: SC-70-3（SOT323） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.82473 | 2.82473 |
| 10+ | 2.33945 | 23.39457 |
| 100+ | 1.23998 | 123.99840 |
| 500+ | 0.81569 | 407.84750 |
| 1000+ | 0.55466 | 554.66100 |
| 30000+ | 0.34802 | 10440.63000 |
| 60000+ | 0.34606 | 20763.96000 |
- 库存: 7
- 单价: ¥2.82473
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.82
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 SC-70，SOT-323
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1.6欧姆@500毫安，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 310毫安 (Ta)
- 最大功耗 280毫瓦（Tj）
- 供应商设备包装 SC-70-3（SOT323）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 24.5 pF@20 V
- 色彩/颜色 黑色
2V7002WT1G 产品详情
汽车功率MOSFET是低功率应用的理想选择。60V，340mA，1.6欧姆，单N通道，SC-70。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
2V7002WT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2V7002KT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 320毫安 (Ta) 最大功耗: 300mW (Tj) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.27016 |
| 2V7002WT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 310毫安 (Ta) 最大功耗: 280毫瓦（Tj） 供应商设备包装: SC-70-3（SOT323） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.82473 |
 | 2V7002LT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安（Tc） 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.42588 |
 | 2V7002LT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安（Tc） 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.28972 |
 | 2V7002LT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安（Tc） 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥50.67133 |
 | 2V7002LT1G-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
2V7002WT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2V7002WT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2V7002WT1G价格参考￥2.824731，你可以下载 2V7002WT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2V7002WT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
