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IPB180N06S4H1ATMA2是MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6，包括IPB180NO6系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB180NO 6S4-H1 IPB180N 6S4H1XT SP001028786，提供单位重量功能，如0.056438盎司，包装箱设计用于to-263-7，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供180 A Id连续漏极电流，器件具有60 V Vds漏极-源极击穿电压，漏极-漏极电阻Rds为1.7 mΩ，晶体管极性为N沟道。
IPB180N08S4-02带用户指南，包括0.056438盎司单位重量，设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于XPB180N08，以及IPB180NO8S402ATMA1 SP000983458部件别名，该设备也可用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-263-7，该设备提供1信道数信道，该设备具有安装型SMD/SMT。
IPB180N06S4H1ATMA1是MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2，包括1个信道数量的信道，它们设计为与to-263-7封装盒一起工作。包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPB180NO6S4-H1 IPB180NO 6S4H1XT SP000415562，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
