特色
- AEC-Q101合格和PPAP能力
- 低RDS（开启），用于低传导损耗
- 用于低栅极电荷/快速开关的领先平面技术
- SOT-23表面安装，适用于小尺寸（3x3mm）
- 符合RoHS
应用
- 直流到直流转换
- 便携式和计算用负载/电源开关
- 蓄电池充电电路
- 主板、笔记本、摄像机、数码相机等。
（图片：引出线）
NVTR4502PT1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.13A（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.98359 | 3.98359 |
| 10+ | 3.41140 | 34.11406 |
| 100+ | 2.54950 | 254.95010 |
| 500+ | 2.00338 | 1001.69300 |
| 1000+ | 1.54809 | 1548.09700 |
| 3000+ | 1.44879 | 4346.39100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.98360
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.98
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 最大功耗 400mW (Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.13A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@1.95A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 200 pF@15 V
- 色彩/颜色 White
NVTR4502PT1G 产品详情
汽车功率MOSFET-30V，-1.95A，200 mOhm，单P通道，SOT-23。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVTR4502PT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVT-3401 | 奎斯特科技 (Quest) | 导线/电缆扎带类型: 钩环-带 材质: 聚丙烯钩，聚酰胺环 色彩/颜色: 黑色 实际长度: 30.00'（9.14m） 包装: 散装 | ¥125.73674 |
 | NVT-3402 | 奎斯特科技 (Quest) | 导线/电缆扎带类型: 钩环-带 材质: 聚丙烯钩，聚酰胺环 色彩/颜色: 蓝色 实际长度: 30.00'（9.14m） 包装: 散装 | ¥125.73674 |
 | NVT4858-4557-EVB | 恩智浦 (NXP) | 采用的IC/零件: NVT4557、NVT4858 种类: 接口 嵌入: 无 功能: 电平转换器 | ¥3,236.70715 |
 | NVTJD4001NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NVTFS5811NLWFTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 3.2W（Ta）、21W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥59.82635 |
 | NVTFS5824NLTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta），57W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.65819 |
 | NVTFS5824NLWFTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta），57W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
| NVT2012GM,125 | NVT2012 - LOGIC - TRANSLATORS, L | ¥4.3456 | |
| NVT4558-4858-EVB | NVT4558HK EVAL BOARD | ¥0.00 | |
| NVT4558HKX | IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10 | ¥0.00 |
NVTR4502PT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVTR4502PT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVTR4502PT1G价格参考￥3.983595，你可以下载 NVTR4502PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVTR4502PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
