•增强模式
•逻辑电平
•150°C工作温度
•根据JEDEC对traget应用进行认证
•无铅铅镀层；符合RoHS
•符合IEC61249-2-21的无卤素
（图片：引线/示意图）
BSO303SPH
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Ta) 最大功耗: 1.56W（Ta） 供应商设备包装: PG-DSO-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 938
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 938+ | 2.31772 | 2174.02886 |
- 库存: 3499
- 单价: ¥2.31773
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,174.03
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7.2A (Ta)
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 1.56W（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 54 nC @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@100A.
- 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@9.1A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2330 pF@25 V
- 供应商设备包装 PG-DSO-8-1
BSO303SPH 产品详情
特征
BSO303SPH 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSOF3S3E-010.0M | 康纳·温菲尔德 (Connor Winfield) | 种类: OCXO 频率: 10兆赫 输出: HCMOS 频率的稳定性: ±10ppb 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥912.6054 |
 | BSO330N02KG | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.66587 |
 | BSO211P | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 |
 | BSO211PH | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 532-FCBGA (23x23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.2453 |
 | BSO220N03MDGXUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.60505 |
 | BSO211PNTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.22889 |
 | BSO612CVGXUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | MOSFET N/P-CH 8-SOIC | ¥4.42107 |
 | BSO110N03MSG | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：1.56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,12.1A | ¥5.32829 |
 | BSO080P03S H | 英飞凌 (Infineon) | ¥13.12631 | |
| BSO615N G | 英飞凌 (Infineon) | ¥3.28828 |
BSO303SPH所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSO303SPH 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSO303SPH价格参考￥2.317728，你可以下载 BSO303SPH中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSO303SPH规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
