9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB033N10N5LFATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB033N10N5LFATMA1参考价格$6.85000。Infineon Technologies IPB033N10N5LFATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3。您可以下载IPB033N10N5LFATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPB033N10N5LFATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPB031N08N5ATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPB031NO8N5 SP001227048零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-263-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有167 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为120 a，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为69nC，正向跨导最小值为76S，沟道模式为增强。
IPB031NE7N3 G是MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括3.1 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于75 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS 3系列，该器件的漏极-源极电阻为3.1mOhms，Qg栅极电荷为88nC，Pd功耗为214W，部件别名为IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE 7N3GXT SP000641730，封装为卷筒，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为100 A，正向跨导最小值为150 S 75 S。
IPB031NE7N3GATMA1是MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-263-3封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如G IPB031NE 7N3 IPB031NEX7N3GXT SP000641730，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPB031NE7N3G，带有infineon制造的EDA/CAD模型。IPB031NE7N3G在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
