光学MOS™ 线性FET是避免导通电阻(RDS(打开))以及线性模式能力–在增强型MOSFET的饱和区域中工作。它提供了最先进的RDS(打开)以及经典平面MOSFET的宽安全操作区域。
特色
- 低R DS(开启)和宽安全操作区域(SOA)的组合
- 最大脉冲电流高
- 高连续脉冲电流
- 坚固的线性模式操作
- 低传导损耗
- 更高的浪涌电流可实现更快的启动和更短的停机时间
应用
- 电信
- 电池管理
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 81.84477 | 81.84477 |
10+ | 73.94276 | 739.42766 |
100+ | 61.21843 | 6121.84390 |
500+ | 57.32031 | 28660.15550 |
1000+ | 57.32031 | 57320.31100 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
光学MOS™ 线性FET是避免导通电阻(RDS(打开))以及线性模式能力–在增强型MOSFET的饱和区域中工作。它提供了最先进的RDS(打开)以及经典平面MOSFET的宽安全操作区域。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。