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IPB048N15N5LFATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 81.84477 81.84477
10+ 73.94276 739.42766
100+ 61.21843 6121.84390
500+ 57.32031 28660.15550
1000+ 57.32031 57320.31100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥71.19771
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥81.84
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 最大功耗 313W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 84 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 PG-TO263-3
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.8毫欧姆 @ 100A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.9V @ 255A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 380 pF @ 75 V
  • 色彩/颜色

IPB048N15N5LFATMA1 产品详情

光学MOS™ 线性FET是避免导通电阻(RDS(打开))以及线性模式能力–在增强型MOSFET的饱和区域中工作。它提供了最先进的RDS(打开)以及经典平面MOSFET的宽安全操作区域。

特色

  • 低R DS(开启)和宽安全操作区域(SOA)的组合
  • 最大脉冲电流高
  • 高连续脉冲电流
  • 坚固的线性模式操作
  • 低传导损耗
  • 更高的浪涌电流可实现更快的启动和更短的停机时间

应用

  • 电信
  • 电池管理
IPB048N15N5LFATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB048N15N5LFATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB048N15N5LFATMA1价格参考¥71.197707,你可以下载 IPB048N15N5LFATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB048N15N5LFATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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