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C3M0015065K

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 416W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 331.86967 331.86967
10+ 309.64846 3096.48461
100+ 268.85644 26885.64480
  • 库存: 0
  • 单价: ¥331.86968
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥331.87
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 安装类别 通孔
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 包装/外壳 至247-4
  • 供应商设备包装 TO-247-4L
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +15伏、-4伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 55.8A、15V时为21毫欧姆
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.6V @ 15.5毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 188 nC@15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5011 pF @ 400 V
  • 最大功耗 416W (Tc)
  • 色彩/颜色 -

C3M0015065K 产品详情

C3M0015065K所属分类:分立场效应晶体管 (FET),C3M0015065K 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。C3M0015065K价格参考¥331.869678,你可以下载 C3M0015065K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询C3M0015065K规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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