起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.64679 | 0.64679 |
| 100+ | 0.58884 | 58.88480 |
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一般说明
AO3423采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它受到ESD保护。标准产品AO3423不含铅（符合ROHS和索尼259规范）。AO3423L是绿色产品
订购选项。AO3423和AO3423L在电气上相同。
VDS（V）=-20V
ID=-2 A（VGS=-10V）
RDS（开启）<92mΩ （VGS=-10V）
RDS（开启）<118mΩ （VGS=-4.5V）
RDS（开启）<166mΩ （VGS=-2.5伏）
ESD额定值：2000V HBM
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AO3400-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A | ¥0.24018 |
| AO3401-ED | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,2A | ¥0.12624 |
| AO3400-ED | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A | ¥0.13709 |
 | AO3416A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A | ¥0.24843 |
| AO3401CI-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,2.8A A19T | ¥0.20198 |
 | AO3442A | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.32955 |
| AO3480A(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.35232 |
 | AO3422A | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.42748 |
 | AO3409A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A | ¥0.14196 |
 | AO3402A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A | ¥0.18614 |
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工...
