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VMO580-02F

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 580A (Tc) 供应商设备包装: Y3-Li 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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起订量: 1

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1+ 1226.94726 1226.94726
10+ 1222.68119 12226.81192
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 安装类别 机箱安装
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 580A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.8毫欧姆 @ 430A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 50毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2750 nC@10 V
  • 供应商设备包装 Y3-Li
  • 包装/外壳 Y3-Li
  • 色彩/颜色 黑色

VMO580-02F 产品详情

VMO580-02F所属分类:分立场效应晶体管 (FET),VMO580-02F 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。VMO580-02F价格参考¥1226.947260,你可以下载 VMO580-02F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询VMO580-02F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

艾赛斯.力特 (IXYS)

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