9icnet为您提供由IXYS设计和生产的VMO650-01F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VMO650-01F参考价格为213.35000美元。IXYS VMO650-01F封装/规格：MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB。您可以下载VMO650-01F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VMO580-02F是MOSFET N-CH 200V 580A模块，包括HiPerFET？系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于Y3 Li，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于机箱安装，以及Y3 Li供应商设备包，该设备也可以用作MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型。此外，漏极到源极电压Vdss为200V，该器件采用标准FET特性，该器件具有580A电流连续漏极Id 25°C，最大Id Vgs的Rds为3.8 mOhm@430A，10V，Vgs th最大Id为4V@50mA，栅极电荷Qg Vgs为2750nC@10V。
VMO550-01F，带有IXYS制造的用户指南。VMO550-01F可在模块封装中获得，是模块的一部分，N通道100V 590A（Tc）2200W（Tc）底盘安装Y3-DCB，Trans MOSFET N-CH 100V 590B汽车4引脚Y3-DCC。
VMO60-05F，带有IXYS制造的电路图。VMO60-05F在模块封装中提供，是模块的一部分，N通道500V 60A（Tc）590W（Tc）底盘安装TO-240AA，Trans MOSFET N-CH 500V 60A 4引脚TO-240A。
