AO3421E

Name: AO3421E
Brand: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
SKU: 7136855-AO3421E
Price: 1.069052 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta）供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
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规格参数

技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备包装 SOT-23-3
部件状态不适用于新设计
制造厂商阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8 nC @ 10 V
最大功耗 1.4W（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 95毫欧姆@3A，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 215 pF@15 V
色彩/颜色 -
长（英寸） twelve

AO3421E 产品详情

AO3421E采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适合用作负载开关或PWM应用。

产品概要
VDS-30伏
ID（VGS=-10V时）-2.6A
RDS（开启）（VGS=-10V时）<110mΩ
RDS（开启）（VGS=-4.5V时）<180mΩ

AO3421E 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO3400-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A	¥0.24018
AO3401-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,2A	¥0.12624
AO3400-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A	¥0.13709
AO3416A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A	¥0.24843
AO3401CI-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,2.8A A19T	¥0.20198
AO3442A	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.32955
AO3480A(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.35232
AO3422A	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.42748
AO3409A	广东友台半导体 (UMW)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A	¥0.14196
AO3402A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A	¥0.18614

AO3421E所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO3421E 由阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO3421E价格参考￥1.069052，你可以下载 AO3421E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO3421E规格参数、现货库存、封装信息等信息！