9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB530N15N3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB530N15N3GATMA1参考价格1.89000美元。Infineon Technologies IPB530N15N3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK。您可以下载IPB530N15N3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB530N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB530N1 5N3GATMA1 IPB530N3GXT SP000521718，提供单位重量功能，如0.056438盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-263-7包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为68 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为53mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为9ns。
IP-B51-CX，带有IP制造的用户指南。IP-B51-CX在模块包中提供，是模块的一部分。
IP-B51-CY，带有IP制造的电路图。IP-B51-CY在模块包中提供，是模块的一部分。
IPB530N15N3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPB530N15N3G采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
