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BSZ010NE2LS5ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 40A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、69W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-FL 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.20769 20.20769
10+ 18.23037 182.30379
25+ 16.27624 406.90612
100+ 14.64949 1464.94900
250+ 13.02215 3255.53875
500+ 11.39438 5697.19250
1000+ 11.32355 11323.55000
5000+ 11.32355 56617.75000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥20.20769
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.21
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29 nC@4.5 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 最大功耗 2.1W(Ta)、69W(Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TSDSON-8-FL
  • 导通电阻 Rds(ON) 1毫欧姆@20A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Ta), 40A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3900 pF @ 12 V
  • 色彩/颜色 -

BSZ010NE2LS5ATMA1 产品详情

BSZ010NE2LS5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSZ010NE2LS5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSZ010NE2LS5ATMA1价格参考¥20.207691,你可以下载 BSZ010NE2LS5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSZ010NE2LS5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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