特色
- 超低导通电阻提供更高的效率并延长电池寿命
- 便携式和电池供电产品的电源管理
- Minature SOT-23表面安装封装节省了电路板空间
- 符合RoHS
应用
- DC-DC转换器
- 计算机
- 打印机
- PCMCIA卡
- 蜂窝和无绳电话
（图片：引出线）
NTR1P02LT3G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.18687 | 3.18687 |
| 10+ | 2.37567 | 23.75671 |
| 100+ | 1.48044 | 148.04490 |
| 500+ | 1.01299 | 506.49600 |
| 1000+ | 0.77919 | 779.19100 |
| 2000+ | 0.70125 | 1402.51600 |
| 5000+ | 0.66229 | 3311.45500 |
| 10000+ | 0.61984 | 6198.47000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.83874
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.19
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.25伏@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.5 nC @ 4 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.3A（Ta）
- 最大功耗 400mW (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 220毫欧姆@750毫安，4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 225 pF@5V
- 色彩/颜色 不锈钢
NTR1P02LT3G 产品详情
这是一个20 V P沟道功率MOSFET。
NTR1P02LT3G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTR4003NT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.64462 |
 | NTR4003NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.2832 |
 | NTR1P02T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.0877 |
 | NTR5198NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.54829 |
 | NTR4503NT1G | 广东友台半导体 (UMW) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.25593 |
 | NTR4171PT1G(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.5628 |
 | NTR4171PT1G-VB | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,5.6A | ¥0.69599 | |
| NTR4003N | 萨科微 (Slkor) | ¥0.1072 | |
| NTRV4101P | ¥0.46862 | ||
| NTR3A30PZ | ¥0.77354 |
NTR1P02LT3G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTR1P02LT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTR1P02LT3G价格参考￥3.838737，你可以下载 NTR1P02LT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTR1P02LT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
