AO3400A

Name: AO3400A
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7136994-AO3400A
Price: 0.529188 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta）供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
100+	0.18259	18.25940
1000+	0.17226	172.26500
3000+	0.15331	459.95400
10000+	0.11808	1180.81000
50000+	0.11139	5569.80000

库存: 120000
单价: ¥0.52919
数量:
- +
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规格参数

长（英寸） -
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备包装 SOT-23-3
部件状态不适用于新设计
制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、10伏
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 630 pF @ 15 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V
最大功耗 1.4W（Ta）
漏源电流 (Id) @ 温度 5.7A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 26.5毫欧姆@5.7A，10V
色彩/颜色黑色

AO3400A 产品详情

特色

■
● VDS（V）=30V
● ID=5.8 A（VGS=10V）
● RDS（开启）28m（VGS=10V）
● RDS（开启）33m（VGS=4.5V）
● RDS（开启）52m（VGS=2.5V）

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型号	制造商	描述	价格
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AO3401-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,2A	¥0.12624
AO3400-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A	¥0.13709
AO3416A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A	¥0.24843
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AO3442A	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.32955
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AO3422A	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.42748
AO3409A	广东友台半导体 (UMW)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A	¥0.14196
AO3402A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A	¥0.18614

AO3400A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO3400A 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO3400A价格参考￥0.529188，你可以下载 AO3400A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO3400A规格参数、现货库存、封装信息等信息！