9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB035N08N3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB035N08N3GATMA1参考价格为3.94000美元。Infineon Technologies IPB035N08N3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK。您可以下载IPB035N08N3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB035N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB035NO8N3GATMA1 IPB035NO 8N3GXT SP0004577588的部件别名，该产品提供单位重量功能，如0.068654盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-263-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为214 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为79 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-电源电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为23ns，沟道模式为增强。
IPB034N06N3G，带有INFINEON制造的用户指南。IPB034N06N3G在TO-263-7封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPB035N08N，带有INF制造的电路图。IPB035NO8N在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
