AO3415A

Name: AO3415A
Brand: 广东友台半导体 (UMW)
SKU: 7137107-AO3415A
Price: 0.242637 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 广东友台半导体 (UMW)
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规格参数

长（英寸） -
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备包装 SOT-23-3
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
部件状态不适用于新设计
制造厂商广东友台半导体 (UMW)
最大功耗 1.5W（Ta）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Ta)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 850mV @ 250A
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 940 pF@10 V
导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 4A, 4.5V
色彩/颜色 -

AO3415A 产品详情

AO3415A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关应用。

产品概要
VDS-20伏
ID（VGS=-4.5V时）-4A
RDS（开启）（VGS=-4.5V时）<41mΩ
RDS（开启）（VGS=-2.5V时）<53mΩ
RDS（开启）（VGS=-1.8V时）<65mΩ

ESD保护

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型号	制造商	描述	价格
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AO3401-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,2A	¥0.12624
AO3400-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A	¥0.13709
AO3416A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A	¥0.24843
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AO3409A	广东友台半导体 (UMW)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A	¥0.14196
AO3402A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A	¥0.18614

AO3415A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO3415A 由广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO3415A价格参考￥0.242637，你可以下载 AO3415A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO3415A规格参数、现货库存、封装信息等信息！