9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB144N12N3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB144N12N3GATMA1参考价格为2.04000美元。Infineon Technologies IPB144N12N3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK。您可以下载IPB144N12N3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB144N12N3 G是MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB144N1 2N3GATMA1 IPB144N 2N3GXT SP000694166，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为107 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为56A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Rds漏极源极导通电阻为14.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24nS，Qg栅极电荷为37nC。
带用户指南的IPB140N08S404ATMA1，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了部件别名功能，如IPB140NO8S4-04 SP000989102，包装设计为在卷筒中工作，以及to-263-7包装箱，该设备也可以用作1信道数信道。
IPB144N12N3G，带有INFINEON制造的电路图。IPB144N12N3G在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
