特色
- 5.4A，900V，RDS（开启）=2.3Ω（最大值）@VGS=10 V，ID=2.7A
- 低栅极电荷（典型值31nC）
- 低铬（典型值13pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 照明
FQB5N90TM
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、158W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 20.93198 | 20.93198 |
| 10+ | 18.80981 | 188.09811 |
| 100+ | 15.11882 | 1511.88290 |
| 800+ | 12.42150 | 9937.20080 |
| 1600+ | 11.29226 | 18067.61760 |
- 库存: 0
- 单价: ¥20.93198
-
数量:
- +
- 总计: ¥20.93
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.4A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 40 nC @ 10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 900 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1550 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 2.3欧姆@2.7A，10V
- 最大功耗 3.13W（Ta）、158W（Tc）
- 色彩/颜色 -
FQB5N90TM 产品详情
该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
FQB5N90TM 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQB020ADC-007-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,485.37393 |
 | FQB020ADC-N07-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,180.90962 |
 | FQB020ADC-N07-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,485.37393 |
 | FQB020ADC-007-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,129.42223 |
 | FQB12N50TM | TRANS MOSFET N-CH 500V 12.1A 3PI | ¥7.7499 | |
 | FQB17N08TM | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta）、65W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.52101 | |
 | FQB7P06TM | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.83874 | |
 | FQB19N10LTM | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 75W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.9836 | |
 | FQB5N60CTM | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.9836 | |
 | FQB25N33TM-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 330伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、250W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥64.95433 |
FQB5N90TM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQB5N90TM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQB5N90TM价格参考￥20.931981，你可以下载 FQB5N90TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQB5N90TM规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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