9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB123N10N3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB123N10N3GATMA1参考价格为2.10000美元。Infineon Technologies IPB123N10N3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK。您可以下载IPB123N10N3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB123N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB123N1 0N3GTMA1 IPB123N 0N3GTXT SP000485968，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为94 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为58A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第th栅极-源阈值电压为2.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型导通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为26nC，并且前向跨导Min为57 S 29 S，信道模式为增强。
IPB120P04P4-04是MOSFET P-Ch-40V-120A D2PAK-2 OptiMOS-P2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-40 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为49 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-P2系列，上升时间为20纳秒，漏极-源极电阻Rds为3.5毫欧，Qg栅极电荷为158 nC，Pd功耗为136 W，部件别名为IPB120P04P404ATMA1 IPB120PO4P404XT SP000842270，包装为卷筒，包装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为-120 A，下降时间为52 ns。
IPB120P04P4L03ATMA1是MOSFET P-Ch-40V-120A D2PAK-2 OptiMOS-P2，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于1信道数量的信道，数据表说明中显示了用于to-263-3的封装情况，该to-263-3提供了卷盘、零件别名等封装功能，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，该器件提供1个P沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.068654盎司。
