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TK9J90E,S1E

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P(N) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 21.14926 21.14926
10+ 19.00537 190.05370
100+ 15.27310 1527.31030
500+ 12.54832 6274.16200
1000+ 10.39718 10397.18300
2000+ 9.77791 19555.83000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥21.14927
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.15
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 最大功耗 250W(Tc)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@25 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9A(Ta)
  • 漏源电压标 (Vdss) 900 V
  • 供应商设备包装 TO-3P(N)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 900A
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.3欧姆@4.5A,10V
  • 色彩/颜色 黑色

TK9J90E,S1E 产品详情

TK9J90E,S1E所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK9J90E,S1E 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK9J90E,S1E价格参考¥21.149268,你可以下载 TK9J90E,S1E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK9J90E,S1E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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