- 应用范围：开关稳压器
- 极性：N-ch
- 生成：π-MOSⅧ
- 内部连接：单个
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 装配基地：中国
特色
- 装配底座：4.0 V
- 装配底座：1.3Ω
- 装配底座：2000 pF
- 装配底座：46 nC
应用
开关稳压器
TK9A90E,S4X
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220SIS 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 16.80352 | 16.80352 |
| 10+ | 15.09420 | 150.94204 |
| 100+ | 12.13330 | 1213.33060 |
| 500+ | 9.96898 | 4984.49150 |
| 1000+ | 8.25994 | 8259.94800 |
| 2000+ | 7.76801 | 15536.02000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥16.80353
-
数量:
- +
- 总计: ¥16.80
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 最大功耗 50W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@25 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9A（Ta）
- 漏源电压标 (Vdss) 900 V
- 供应商设备包装 TO-220SIS
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 900A
- 导通电阻 Rds(ON) 1.3欧姆@4.5A，10V
- 色彩/颜色 -
TK9A90E,S4X 产品详情
TK9A90E,S4X 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TK9J90E,S1E | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-3P(N) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥21.14927 |
| TK9A90E,S4X | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220SIS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥16.80353 |
 | TK90S06N1L,LXHQ | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Ta) 最大功耗: 157W（Tc） 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度 | ¥13.03722 |
 | TK90S06N1L,LQ | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Ta) 最大功耗: 157W（Tc） 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥15.28252 |
 | TK9A45D(STA4,Q,M) | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220SIS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.0208 |
 | TK9P65W,RQ | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Ta) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.10577 |
 | TK9A65W,S5X | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220SIS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥14.28155 |
 | TK9A55DA(STA4,Q,M) | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220SIS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.98652 |
 | TK9A60D(STA4,Q,M) | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220SIS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.98652 |
 | TK9094 | 3M (3M) | 胶带种类: 运输 含胶带: 17002, 310, 373, 3900, 471, 4811, 4941, 898, 983-326, SJ3550, SJ3560 量: 吊钩（2）、卷筒（4）、条带（45） | ¥1,306.00779 |
TK9A90E,S4X所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TK9A90E,S4X 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TK9A90E,S4X价格参考￥16.803528，你可以下载 TK9A90E,S4X中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TK9A90E,S4X规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
