IAUT165N08S5N029ATMA2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 165A（Tc） 最大功耗: 167W（Tc） 供应商设备包装: PG-HSOF-8-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 34.79199 | 34.79199 |
- 库存: 5
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数量:
- +
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 包装/外壳 8-PowerSFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 90 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 PG-HSOF-8-1
- 最大功耗 167W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.9毫欧姆@80A，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 165A（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 108A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6370 pF @ 40 V
- 色彩/颜色 黑色
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IAUC60N04S6L045HATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tj) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-57 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.14223 |
 | IAUC60N04S6L030HATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tj) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.03722 |
 | IAUC60N04S6N031HATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tj) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
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IAUT165N08S5N029ATMA2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IAUT165N08S5N029ATMA2 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IAUT165N08S5N029ATMA2价格参考￥34.791994，你可以下载 IAUT165N08S5N029ATMA2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IAUT165N08S5N029ATMA2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
