FQB27P06TM

Name: FQB27P06TM
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7137354-FQB27P06TM
Price: 14.775516 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 120W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

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数量	单价	合计
1+	15.49980	15.49980
10+	13.93534	139.35340
100+	11.20331	1120.33180
800+	9.20492	7363.94320
1600+	8.36808	13388.93600

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规格参数

长（英寸） -
制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
场效应管特性 -
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
供应商设备包装 DPAK (TO-263)
场效应管类型 P-通道
最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1400 pF @ 25 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43 nC @ 10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 27A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 13.5A, 10V
最大功耗 3.75W (Ta), 120W (Tc)
色彩/颜色 -

FQB27P06TM 产品详情

增强型P沟道MOSFET，ON半导体

ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻，从而为快速切换提供坚固可靠的性能。

特点和优点：

•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术

应用：

•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制

特色

-27A，-60V，RDS（开启）=70mΩ（最大值）@VGS=-10 V，ID=-13.5A
低栅极电荷（典型值33nC）
低铬（典型值120pF）
100%雪崩测试
175°C最大结温额定值

应用

液晶电视
PDP电视
LED电视

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型号	制造商	描述	价格
FQB020ADC-007-S	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -40摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥1,485.37393
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FQB020ADC-N07-S	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -40摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥1,485.37393
FQB020ADC-007-M	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -55摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥2,129.42223
FQB12N50TM		TRANS MOSFET N-CH 500V 12.1A 3PI	¥7.7499
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FQB7P06TM		场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.83874
FQB19N10LTM		场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 75W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.9836
FQB5N60CTM		场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、100W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.9836
FQB25N33TM-F085	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 330伏漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc）最大功耗: 3.1W（Ta）、250W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥64.95433

FQB27P06TM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQB27P06TM 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQB27P06TM价格参考￥14.775516，你可以下载 FQB27P06TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQB27P06TM规格参数、现货库存、封装信息等信息！