AO4406A

Name: AO4406A
Brand: 广东友台半导体 (UMW)
SKU: 7137428-AO4406A
Price: 0.825111 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）最大功耗: 3.1W（Ta）供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 广东友台半导体 (UMW)
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10+	0.67614	6.76146
30+	0.60166	18.04980
100+	0.51020	51.02040
600+	0.46551	279.30960
1200+	0.44317	531.80520

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规格参数

长（英寸） -
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
部件状态不适用于新设计
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
制造厂商广东友台半导体 (UMW)
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
最大功耗 3.1W（Ta）
漏源电流 (Id) @ 温度 13A（Ta）
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 910 pF@15 V
导通电阻 Rds(ON) 11.5毫欧姆@12A，10V
色彩/颜色 -

AO4406A 产品详情

AO4406A采用先进的沟槽技术，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该器件适用于SMPS和通用应用中的高端开关。

产品概要
VDS 30伏
ID（VGS=10V时）13A
RDS（开启）（VGS=10V时）<11.5mΩ
RDS（开启）（VGS=4.5V时）<15.5mΩ

AO4406A 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
AO4882-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882	¥1.73742
AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
AO4411(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.86192
AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4406A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO4406A 由广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4406A价格参考￥0.825111，你可以下载 AO4406A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4406A规格参数、现货库存、封装信息等信息！