这个平方米Vishay Semiconductor的MOSFET系列专为需要坚固和高可靠性的所有汽车应用而设计。
SQ坚固系列MOSFET的优点•AEC-Q101合格
•结温高达+175°C
•低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术
•创新的节省空间包装选项
AEC-Q101型
SQJ411EP-T1_GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.06763 | 10.06763 |
| 10+ | 8.99568 | 89.95682 |
| 100+ | 7.01474 | 701.47490 |
| 500+ | 5.79475 | 2897.37750 |
| 1000+ | 4.57476 | 4574.76000 |
| 3000+ | 4.57476 | 13724.28000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥10.06763
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.07
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 最大功耗 68W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
- 包装/外壳 PowerPAKSO-8
- 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
- 导通电阻 Rds(ON) 5.8毫欧姆 @ 15A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 150 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9100 pF@6 V
- 色彩/颜色 -
SQJ411EP-T1_GE3 产品详情
N沟道MOSFET，汽车SQ加固系列，Vishay半导体
SQJ411EP-T1_GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SQJ260EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc）、54A（Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.2265 |
 | SQJ914EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.92277 |
 | SQJ951EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.2405 |
 | SQJB42EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.92277 |
 | SQJB68EP-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C | ¥6.7359 |
 | SQJB48EP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | ¥12.02321 |
 | SQJB46ELP-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M | ¥9.19848 |
 | SQJB04ELP-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M | ¥7.38776 |
 | SQJ992EP-T2_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | ¥7.31533 |
 | SQJB60EP-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | ¥9.92277 |
SQJ411EP-T1_GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SQJ411EP-T1_GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQJ411EP-T1_GE3价格参考￥10.067631，你可以下载 SQJ411EP-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQJ411EP-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
