特色
- 低RDS（开启）提供更高的效率并延长电池寿命 - RDS（开启）=800 mΩ@VGS=-10 V - RDS（开启）=1.10Ω@VGS=4.5 V
- 节省电路板空间的小型SOT-23表面安装封装
- 符合RoHS
- AEC-Q101合格和PPAP能力
应用
- DC-DC转换器
- 计算机
- 打印机
- 蜂窝和无绳电话
- PCMCIA卡
（图片：引出线）
NVTR0202PLT1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.96958 | 2.96958 |
| 10+ | 2.23081 | 22.30813 |
| 100+ | 1.38991 | 138.99130 |
| 500+ | 0.95084 | 475.42400 |
| 1000+ | 0.73138 | 731.38800 |
| 3000+ | 0.65823 | 1974.70500 |
| 6000+ | 0.62165 | 3729.94800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.96959
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.97
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 400毫安 (Ta)
- 最大功耗 225毫瓦（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 800毫欧姆 @ 200毫安, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.18 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 70 pF @ 5 V
- 色彩/颜色 黑色
NVTR0202PLT1G 产品详情
汽车功率MOSFET是低功率应用的理想选择。小信号MOSFET-20V，-400mA，800 mOhm，单P通道，SOT-23，逻辑电平。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVTR0202PLT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVT-3401 | 奎斯特科技 (Quest) | 导线/电缆扎带类型: 钩环-带 材质: 聚丙烯钩，聚酰胺环 色彩/颜色: 黑色 实际长度: 30.00'（9.14m） 包装: 散装 | ¥125.73674 |
 | NVT-3402 | 奎斯特科技 (Quest) | 导线/电缆扎带类型: 钩环-带 材质: 聚丙烯钩，聚酰胺环 色彩/颜色: 蓝色 实际长度: 30.00'（9.14m） 包装: 散装 | ¥125.73674 |
 | NVT4858-4557-EVB | 恩智浦 (NXP) | 采用的IC/零件: NVT4557、NVT4858 种类: 接口 嵌入: 无 功能: 电平转换器 | ¥3,236.70715 |
 | NVTJD4001NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NVTFS5811NLWFTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 3.2W（Ta）、21W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥59.82635 |
 | NVTFS5824NLTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta），57W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.65819 |
 | NVTFS5824NLWFTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta），57W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
| NVT2012GM,125 | NVT2012 - LOGIC - TRANSLATORS, L | ¥4.3456 | |
| NVT4558-4858-EVB | NVT4558HK EVAL BOARD | ¥0.00 | |
| NVT4558HKX | IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10 | ¥0.00 |
NVTR0202PLT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVTR0202PLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVTR0202PLT1G价格参考￥2.969589，你可以下载 NVTR0202PLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVTR0202PLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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