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IPB117N20NFDATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 84A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 35.16138 35.16138
  • 库存: 20
  • 单价: ¥35.16138
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥35.16
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO263-3-2
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 270A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 84A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 87 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6650 pF @ 100 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 11.7毫欧姆@84A,10V
  • 色彩/颜色 White

IPB117N20NFDATMA1 产品详情

光学MOS™ 快速二极管(FD)200V、250V和300V针对体二极管硬换向进行了优化。这些设备是硬开关应用的完美选择,如电信、工业电源、D类音频放大器、电机控制和DC-AC逆变器。

特色

  • 改进的硬换向耐用性
  • 优化的硬切换行为
  • 行业最低R ds(on)、Q g和Q rr
  • 符合RoHS标准-无卤素
  • 最高的系统可靠性
  • 降低系统成本
  • 最高的效率和功率密度
  • 易于设计的产品

应用

  • 电信
  • D级音频放大器
  • 48-110V系统的电机控制
  • 工业电源
  • 逆变器
IPB117N20NFDATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB117N20NFDATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB117N20NFDATMA1价格参考¥35.161382,你可以下载 IPB117N20NFDATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB117N20NFDATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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