9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG2307L-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG2307L-7参考价格为0.42000美元。Diodes Incorporated DMG2307L-7封装/规格：MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23。您可以下载DMG2307L-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG2305UX-7是MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23，包括DMG2305系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.4W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为808pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为4.2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为52 mOhm@4.2A，4.5V，Vgs的最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.2nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为4.2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为-0.9V，Rds漏极源极电阻为200mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为10.2nC，沟道模式为增强。
DMG2305UXQ-13带有用户指南，包括Si技术，设计用于DMG230系列，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
带有电路图的DMG2305UXQ-7，包括卷筒包装，设计用于DMG230系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
