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IPB020NE7N3 G是MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB020NE 7N3GATMA1 IPB020NEX7N3GXT SP000676950的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅源电压为2.3 V，并且Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为206nC，正向跨导最小值为196 S 98 S。
IPB020N10N5ATMA1是MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为33 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有26 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为2.5 mOhms，Qg栅极电荷为168 nC，Pd功耗为375 W，部件别名为IPB020N10N5 SP001132558，封装为卷筒，封装外壳为TO-263-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，正向跨导最小值为124 S，下降时间为29 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的IPB020N10N5，包括SMD/SMT安装样式，它们设计用于1通道数的通道，数据表注释中显示了to-263-3中使用的封装盒，该封装盒提供了卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPB020N20N5ATMA1 SP001132558以及XPB020N10系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.068654盎司。
