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IPB026N06NATMA1是MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2，包括IPB026NO6系列，它们设计用于卷盘包装。数据表注释中显示了用于IPB026NO 6N IPB026N NXT SP000962142的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-263-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为56nC，并且正向跨导Min为160S。
IPB027N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如34 ns，典型的关闭延迟时间设计为84 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为58ns，漏极电阻Rds为2.7mOhms，Pd功耗为300W，部件别名为IPB027N10N3GTMA1 IPB027N1 0N3GTXT SP000506508，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，下降时间为28 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPB027N10N3G，带有INF制造的电路图。IPB027N1 0N3G可在SOT263封装中获得，是FET的一部分-单个。
