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BSZ040N04LS G是MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSZ040NO4LSGATMA1 BSZ040NO 4LSGXT SP000388295的零件别名,该产品提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于OptiMOS,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件采用单四漏三源配置,该器件具有1 N信道晶体管型,Pd功耗为2.1W,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,下降时间为5.4ns,上升时间为4.8ns,并且Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为18A,Vds漏极-源极击穿电压为40V,Rds导通漏极-漏极电阻为4mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为33ns,典型接通延迟时间为8.5ns,沟道模式为增强。
BSZ040N04L和用户指南BSZ040NO4L在QFN8封装中提供,是FET的一部分-单个。
BSZ040N04LSG,带有INF制造的电路图。BSZ040NO4LSG以PG-TSDSON-8封装形式提供,是FET的一部分-单个。