9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ443EP-T1_GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ443EP-T1_GE3参考价格为1.48000美元。Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_GE3封装/规格:MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8。您可以下载SQJ443EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ431EP-T1-GE3是MOSFET-200v-12A 83W TrenchFET,包括SQ系列,它们设计为使用卷轴封装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供商标功能,如TrenchFET,封装盒设计为在PowerPak-6以及Si技术中工作,该设备也可以用作1通道数的通道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有83 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为10 ns,上升时间为11 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为-12 a,Vds漏极-源极击穿电压为-200 V,Vgs第栅极-源极阈值电压为-3 V,Rds导通漏极-漏极电阻为213 mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为44 ns,典型接通延迟时间为15 ns,Qg栅极电荷为71 nC。
SQJ443EP-T1_GE3带有用户指南,其中包括TrenchFET商品名,它们设计用于使用Si技术,数据表说明中显示了用于SQ系列的系列,该系列提供了卷盘等包装功能。
SQJ422EP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8。SQJ422EP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8。
SQJ431EPT1-GE3,带有VISAHY制造的EDA/CAD模型。SQJ431EPT1-GE3采用SMD封装,是IC芯片的一部分。