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IPB025N10N3 G是MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB025N1 0N3GTMA1 IPB025N 0N3GTXT SP000469888，提供单位重量功能，如0.056438盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-263-7包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有单Quint配置源，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为58 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为180A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.5mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为84ns，典型导通延迟时间为34ns，Qg栅极电荷为206nC，并且前向跨导Min为200S 100S，并且信道模式为增强。
IPB025N08N3G和INF制造的用户指南。IPB025NO8N3G以TO-263-2封装形式提供，是FET的一部分-单个。
IPB025N10N3G，带有INF制造的电路图。IPB025N1 0N3G采用SON8封装，是FET的一部分-单。
