IAUT300N10S5N015ATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-8-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 56.27733 | 56.27733 |
10+ | 50.51198 | 505.11985 |
100+ | 41.38810 | 4138.81030 |
500+ | 35.37432 | 17687.16200 |
2000+ | 35.37432 | 70748.64800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥56.27733
-
数量:
- +
- 总计: ¥56.28
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 8-PowerSFN
- 最大功耗 375W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 1.5毫欧姆@100A,10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 300A (Tc)
- 供应商设备包装 PG-HSOF-8-1
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 275A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 216 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 16011 pF@50 V
- 色彩/颜色 -
IAUT300N10S5N015ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IAUT300N10S5N015ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IAUT300N10S5N015ATMA1价格参考¥56.277333,你可以下载 IAUT300N10S5N015ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IAUT300N10S5N015ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。