9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ431AEP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ431AEP-T1_GE3参考价格1.72000美元。Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8。您可以下载SQJ431AEP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ410EP-T1_GE3，带有引脚细节，包括SQ系列，它们设计用于卷盘封装，产品名称显示在数据表注释中，用于TrenchFET，提供Si等技术特性，其最大工作温度范围为+175 C，以及30 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。
SQJ410EP-T1-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SQJ410EP-T1-GE3采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
SQJ422EP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8。SQJ422EP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8。
