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BSZ520N15NS3G是MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON，包括OptiMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N1 5NS3GXT SP000607022的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS以及8 PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PG-TSDSON-8（3.3x3.3），配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，功率最大为57W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为890pF@75V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为21A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为52mOhm@18A，10V，Vgs最大Id为4V@35μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，Pd功耗为57W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为3 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Vgs第栅-源极阈值电压为4 V，Rds漏极源极电阻为52 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为12nC，正向跨导Min为21S11S，信道模式为增强。
BSZ900N15NS3 G是MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8，包括4V@20μA Vgs th Max Id，设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作PG-TSDSON-8（3.3x3.3）供应商设备包。此外，该系列是OptiMOS？，该器件提供90 mOhm@10A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件具有90 mOhms Rds On Drain Source电阻，最大功率为38W，部件别名为BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N1 5NS3GXT SP000677866，封装为Digi-ReelR Alternative Packaging，封装外壳为8-PowerTDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Cis-Vds为510pF@75V，Id连续漏极电流为13A，栅极电荷Qg-Vgs为7nC@10V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为150V，25°C的电流连续漏极Id为13A（Tc），配置为单一。
BSZ520N15NS3GATMA1是MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于1信道数量的信道，封装情况如数据表注释所示，用于TSDSON8，提供卷盘、零件别名等封装功能，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为OptiMOS，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道。
