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BSO080P03NS3E G是MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO，包括OptiMOS 3P3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于BSO080P02NS3EGXT BSO080P01NS3EGXUMA1 SP000472992，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及DSO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅源电压为25 V，并且Id连续漏极电流为-14.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为8mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为-61nC，正向跨导最小值为44S，沟道模式为增强。
BSO080P03NS3 G是MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于16 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如64 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS 3P3系列，该器件的上升时间为47 ns，漏极-源极电阻Rds为8 mOhms，Pd功耗为1.6 W，部件别名为BSO080P03NS3GXT BSO080P02NS3GXUMA1 SP000472996，封装为卷轴，封装盒为DSO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-14.8 A，下降时间为19 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强型。
BSO065N03MS G，带有INFINE0N制造的电路图。BSO065N03MS G采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
BSO072N03S是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO。BSO072N03S采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO、N沟道30V 12B（Ta）1.56W（Ta）表面安装PG-DSO-8。
