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IPB017N10N5ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 62.65108 62.65108
10+ 56.57429 565.74292
100+ 46.83766 4683.76610
500+ 43.85576 21927.88000
1000+ 43.85576 43855.76000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥54.46661
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥62.65
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功耗 375W (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO263-7
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6条引线+标签)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 210 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 180A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.7毫欧姆@100A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15600 pF@50 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 279A
  • 色彩/颜色 -

IPB017N10N5ATMA1 产品详情

光学MOS™ 英飞凌的5 100V功率MOSFET IPB017N10N5ATMA1专门设计用于电信模块的同步整流,包括Oring、热插拔和电池保护以及服务器电源应用。该设备具有较低的RDS(打开)与同类设备相比,该行业领先的FOM的最大贡献之一是低通态电阻,提供最高水平的功率密度和效率。

特色

  • 针对同步整流进行了优化
  • 适用于高开关频率
  • 输出电容减少高达44%
  • 与上一代相比,R DS(on)减少了43%
  • 最高的系统效率
  • 减少开关和传导损耗
  • 需要更少的并联
  • 提高功率密度
  • 低压过冲
IPB017N10N5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB017N10N5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB017N10N5ATMA1价格参考¥54.466608,你可以下载 IPB017N10N5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB017N10N5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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