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IPB120P04P4L03ATMA2

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 23.10485 23.10485
10+ 20.72193 207.21937
100+ 16.97880 1697.88060
500+ 14.51187 7255.93700
1000+ 14.51187 14511.87400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥23.10485
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥23.10
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 供应商设备包装 PG-TO263-3-2
  • 最大功耗 136W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 234 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.4毫欧姆@100A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15000 pF@25 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +5伏、-16伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@340A.
  • 材质 -

IPB120P04P4L03ATMA2 产品详情

英飞凌OptiMOS™P P沟道功率MOSFET

这个英飞凌科技 光学MOS™ P沟道功率MOSFET设计用于提供满足质量性能的增强功能。其特点包括超低开关损耗、导通电阻、雪崩额定值以及AEC认证的汽车解决方案。应用包括直流-直流、电机控制、汽车和电动汽车。

增强模式
雪崩等级
低开关和传导功率损耗
无铅铅镀层;符合RoHS
标准包装
光学MOS™ P通道系列:温度范围从-55°C到+175°C

IPB120P04P4L03ATMA2所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB120P04P4L03ATMA2 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB120P04P4L03ATMA2价格参考¥23.104851,你可以下载 IPB120P04P4L03ATMA2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB120P04P4L03ATMA2规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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