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IPB70N10S3-12是MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3,包括OptiMOS-T系列,它们设计用于卷筒包装,零件别名如数据表注释所示,用于IPB70H10S312TMA1 IPB70T10S312XT SP000261246,提供单位重量功能,如0.139332盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为125 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为8 ns,上升时间为8纳秒,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为70A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds导通漏极-漏极电阻为11.3mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为25ns,典型接通延迟时间为17ns,沟道模式为增强。
IPB70N04S406ATMA1是MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术,该Si提供了XPB70N04等系列功能,零件别名设计用于IPB70R04S4-06 IPB70M04S406XT SP000711476以及卷筒包装,该装置也可用作TO-263-3包装箱。此外,信道数为1信道。
IPB70N10S3-12(3N1012),带有INFINEON制造的电路图。IPB70N10S3-12(3N1012)采用TO-263封装,是IC芯片的一部分。